新洁能(NCE) MOS管

新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V，配合先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳的电源管理及电能转换。

新洁能（无锡新洁能股份有限公司）是一家国内领先的功率半导体设计公司，专注于MOSFET、IGBT等功率器件的研发与生产。新洁能在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）领域提供了多种系列的产品。击穿电压覆盖-200V至300V，配合先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳的电源管理及电能转换。这些MOS管以其先进的技术、卓越的性能和广泛的应用领域而著称。新洁能的MOSFET产品广泛应用于新能源汽车OBC、通信服务器、光伏储能、不间断电源UPS、电机驱动等领域，其产品以高性能和稳定性著称

一、产品系列及特点

1. N沟道SJ-IV系列（500-1050V）
   • 技术特点：采用第四代技术超结技术，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体积下提供更高的功率密度、更低的功耗与更高的效率。
   • 应用领域：广泛应用于家用电器驱动、计算机电源、UPS（不间断电源）、电动汽车充电等领域。
   • 封装形式：包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等多种封装形式。
2. N沟道SGT-I系列（30-250V）
   • 技术特点：以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，提供了出色的导通电阻（RDS(on)）与品质因子（FOM,RDS(on)×Qg），可实现快速硬开关，大幅度增强了应用效率。
   • 应用领域：广泛应用于开关电源（SMPS）中的同步整流、DC电机控制、太阳能微型逆变器、电信及服务器电源以及UPS等领域。
   • 封装形式：包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN56、DFN33、SOP-8等多种封装形式。
3. 高电压VDMOS系列（1500V和1700V）
   • 技术特点：具有耐压余量大、器件结温高、可靠性强等特点，能在低温至-40℃时100%保证耐压大于额定电压，允许的瞬态最大工作结温达175℃，且能通过严苛的可靠性考核。
   • 应用领域：适用于需要高电压、高可靠性的应用场景，如户外或极寒工况下的系统。
   • 产品状态：目前3A产品已量产，其余电流规格产品正在陆续推出。
4. P沟道SGT-I系列（-30V至-100V）
   • 技术特点：独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率MOSFET成为高端开关的理想选择。其导电性能虽弱于N沟道产品，但在降低系统设计复杂度和总成本方面具有优势。
   • 应用领域：广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。
   • 封装形式：包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多种封装形式。

二、技术优势

• 超低导通电阻：各系列MOSFET均实现了超低的导通电阻，有助于降低功耗和提高效率。例如新洁能的150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻相对上一代降低43.8%，具备更高的电流密度和功率密度 。 
• 稳健的开关特性：针对快速开关电路进行了优化，提供了更加稳健的开关特性和更好的EMI表现。
• 良好的抗静电能力：增强了系统设计的稳定性和可靠性。
• 丰富的封装形式：为设计人员提供了定制化、灵活多样的选择。
• 优化的二极管反向恢复特性：反向恢复电荷相对上一代降低43%，更利于减小电路应用中的电压、电流尖峰，增强电路系统稳定性 。
• 加强的栅极抗振荡能力：设计优化后，更不易发生米勒振荡，减少电路应用的开发时间和成本 

 三、分类：

车规级汽车用MOSFET：
新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOSFET器件电压覆盖范围为-150V至1050V，车规级IGBT器件电压覆盖范围为600V至1200V。基于先进的功率器件设计与晶圆制造技术，稳定可靠的封装技术，优异的质量管控，我们致力于为客户提供“零”缺陷的汽车功率器件产品。

新洁能车规级功率器件已经广泛应用在汽车上，从电控单元到域控制器，从蓄电池防反接到电池管理系统，从车舱电机驱动到主驱电控，以及各个汽车零部件中，我们为汽车电子设计工程师提供了全面的产品选择
30V至120V的N沟道功率MOSFET 产品，具备超低的导通电阻，优异的开关特性，结合先进车规级封装所带来的高可靠性，为汽车电子设计工程师提供了丰富的选择。广泛应用于车身域控，动力电池管理，DC/DC，动力总成，辅助驾驶，车载照明等系统中。新洁能提供击穿电压等级-12V至-150V的P沟道车规级功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET由于其独特的栅极负压导通机制，当它被用作高边开关时，可以大幅度降低系统的设计复杂度。我们提供的P型车规级功率MOSFET器件，以其超低的导通电阻，坚固的可靠性在汽车蓄电池防反接领域得到广泛的应用。击穿电压500-1050V的N沟道SJ-IV系列车规级功率MOSFET产品，以行业领先的导通电阻，极低的栅极电荷，良好的开关特性，优秀的可靠性，是新能源电动汽车车载充电器（OBC）的理想选择。

工业级MOSFET
除了提供12V~1700V各类N沟道，P沟道，N、P型互补式型工业级MOS管外，新洁能还针对光伏逆变器、充电桩、基站电源推出650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品，具有电流密度大、击穿电压高、损耗低等特点。同时，该系列产品具有优良的短路能力，为应用中的突发状况提供充足的裕量。广泛应用于新能源汽车、太阳能逆变器、充电桩、服务器电源等领域。另外，带有额外的开尔文引脚的TO-247-4P封装可以绕过控制回路上的源极引线电感，降低SiC MOSFET的寄生效应并进一步降低器件的开关损耗。

新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V，配合先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳的电源管理及电能转换。及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳的电源管理及电能转换。

通过采用先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，新洁能MOSFET实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。

应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，我们的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。

新洁能结合先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度，我们推出TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并降低了成本。